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Science 最新倒置鈣鈦礦!
2023-12-29

【研究背景】鈣鈦礦太陽(yáng)能電池作為新興的光伏轉(zhuǎn)換技術(shù),具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。但是其穩(wěn)定性仍然存在挑戰(zhàn)。相比常規(guī)的n-i-p結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池,p-i-n幾何結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化了制作工藝,更適合安排電荷傳輸層,也降低了工藝溫度。自組裝單層可以增強(qiáng)p-i-n結(jié)構(gòu)電...

  • 2023-10-18

    【重點(diǎn)啇要】雖然鈣鈦礦太陽(yáng)能電池具有低成本和高效率的優(yōu)勢(shì),但穩(wěn)定性差是商業(yè)化的絆腳石。開(kāi)發(fā)具有高屏障性能的封裝技術(shù),可以有效隔絕外界環(huán)境,提升鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的穩(wěn)定性。分析鈣鈦礦作為光吸收劑的降解機(jī)制,為封裝技術(shù)的發(fā)展指明方向?!狙芯勘尘啊坑捎阝}鈦礦太陽(yáng)能電池具有工藝簡(jiǎn)單、成本低廉和效率高等優(yōu)勢(shì),已廣受關(guān)注。但是這類(lèi)電池的穩(wěn)定性仍然較差,是其商業(yè)化路徑上的重大障礙。為克服這一問(wèn)題,必須開(kāi)發(fā)具有高屏障性能的封裝技術(shù),以保護(hù)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池免受外界環(huán)境的影響?!狙芯砍晒繂讨蝸喞?..

  • 2023-10-18

    外量子效率eqe(ExternalQuantumEfficiency,EQE)是評(píng)估光電轉(zhuǎn)換器件性能的一項(xiàng)重要指標(biāo),用于衡量光電轉(zhuǎn)換器件中光子被吸收后電子能量轉(zhuǎn)換的效率。EQE的測(cè)量和衡量是通過(guò)比較被測(cè)器件的輸入光能量和輸出電流來(lái)完成的。在光電轉(zhuǎn)換器件中,光子被吸收后會(huì)激發(fā)材料中的電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,形成電子空穴對(duì)。當(dāng)這些電子空穴對(duì)被分離后,電子和空穴就可以在器件中流動(dòng)形成電流。而外量子效率就是描述光子被電子吸收并轉(zhuǎn)化為電流的效率。外量子效率eqe的常見(jiàn)問(wèn)題及解決方法:1....

  • 2023-10-13

    【重點(diǎn)摘要】美國(guó)國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)由朱凱領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)發(fā)表了這篇研究論文。關(guān)聯(lián)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的室內(nèi)測(cè)試和室外老化目的是預(yù)測(cè)真實(shí)世界的可靠性以指導(dǎo)開(kāi)發(fā)光照和高溫下的降解是具信息性的層間界面對(duì)穩(wěn)定性至關(guān)重要修改界面層可提高穩(wěn)定性8倍,在85°C下超過(guò)1000小時(shí)達(dá)到8200小時(shí)的預(yù)計(jì)壽命在50°C是報(bào)告過(guò)的高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中相當(dāng)穩(wěn)定的之一將實(shí)驗(yàn)室測(cè)試與實(shí)際壽命連接起來(lái)以評(píng)估穩(wěn)定性【研究背景】鈣鈦礦太陽(yáng)能電池是有前途的薄膜光伏技術(shù),但真實(shí)世界的穩(wěn)定性很難理解。...

  • 2023-10-11

    【重點(diǎn)摘要:】(1)周歡萍教授團(tuán)隊(duì)利用淀粉-聚碘超分子作為緩沖層,顯著改善了鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的疲勞行為和循環(huán)穩(wěn)定性。(2)經(jīng)修改的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在連續(xù)42個(gè)日夜循環(huán)后,發(fā)電效率可保持在98%。(3)該研究為如何利用超分子化學(xué)調(diào)控軟晶格材料的元穩(wěn)定動(dòng)力學(xué)提供了重要見(jiàn)解?!狙芯勘尘啊坑捎阝}鈦礦太陽(yáng)能電池具有軟體和離子晶格結(jié)構(gòu),它們極易受外部刺激的影響。在循環(huán)載荷的實(shí)際環(huán)境中,電池很容易出現(xiàn)明顯的疲勞。由于缺乏對(duì)材料降解的基本理解,目前還沒(méi)有有效的方法來(lái)減輕這種循環(huán)照明下的電池疲...

  • 2023-09-28

    【重點(diǎn)摘要】創(chuàng)新設(shè)計(jì):采用微米和納米結(jié)構(gòu)的新型光檢測(cè)器設(shè)計(jì),與其他材料如GaAs具有相當(dāng)?shù)男阅堋L嵘章剩涸诠柚幸胫芷谛晕⒖捉Y(jié)構(gòu)顯著提高近紅外光譜的光吸收,超越普通硅甚至GaAs。適用于薄硅層:在與標(biāo)準(zhǔn)CMOS電子元件兼容的超薄硅層中觀察到光吸收的明顯提升?,F(xiàn)代制造兼容:該方法與現(xiàn)代CMOS制程兼容,可與傳統(tǒng)電路整合,有望革新運(yùn)算和影像技術(shù)。光子學(xué)進(jìn)步:有望提升基于硅的光檢測(cè)器在新興光子學(xué)應(yīng)用中的性能,確保在薄硅層中達(dá)到高吸收率,適用于高速系統(tǒng)。加州大學(xué)戴維斯分校(UCD...

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